科学研究

十一维科技有限公司二维材料研究小组成立于2018年7月,几乎与十一维科技有限公司同时诞生,作为十一维科研中心的研究支柱,二维小组团队的成员秉着对科研的热爱,在1年之内从最初的3人团队发展至如今的在职人员5人,联培学生5人,海外留学生团队4人。研究组在组长李俊竺博士的带领下,在过去一年的时间内,小组在国际知名期刊发表大量科研论文,以及十余篇国内发明专利。团队目前拥有2套完整的化学气相沉积系统(CVD)作为材料制备设备以及扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)、拉曼(Raman)等大量材料表征手段。如今,十一维科技有限公司二维材料小组处于快速发展阶段,是一个充满朝气与活力的研究组。

研究组人员积极关注国内外二维材料的最前沿技术进展,并紧跟科研界先进领域的材料制备与物理研究步伐,具体科学研究主要有如下

  • 石墨烯/Graphene
  • 过渡金属二硫化物/ TMDs
  • 六方氮化硼/h-BN
  • 量子点/Quantum Dots

石墨烯/Graphene

石墨烯是由sp2杂化键合的碳原子构成的单分子层,单层石墨烯也是现如今科研界唯一一个真正意义上的“二维材料”,因其独特的能带结构和理论性质而受到科研界以及工业界广泛的关注,石墨烯由于其完美的六方晶格结构,除了σ键与其他碳原子连接成六角环状结构外,每个碳原子的垂直于层面的pz轨道可以形成贯穿全层的多原子的大π键(与苯环类似),因为具有极其优越的载流子迁移率以及光学性能。

对于石墨烯的制备而言,二维研究小组掌握了目前科研界最高质量且可控的CVD法合成手段,以及液相剥离法这种“自上而下”的制备手段。可以精确的制备单层石墨烯、多层石墨烯、单晶石墨烯、无氧化石墨烯纳米片及肉眼可见的大单晶石墨烯等众多样品。样品形貌具有高度六边对称性,质量近乎完美,非常适合应用于高端科研工作及新时代工业领域。

部分样品展示图:

过渡金属二硫化物/TMDs

近年来,以二硫化钼(MoS2)为代表的过渡金属二硫化物(TMDs)由于在许多新应用和基础研究中的潜力而受到了科研界和工业界极其广泛的关注,其优越的性能如其带隙及载流子迁移率可通过层数进行调控,材料的电阻随着入射光强度的变化而改变,以及室温下单层二硫化钼表现出500cm2·V-1·s-1的载流子迁移率的直接带隙半导体。

对于二硫化钼(MoS2)为代表的过渡金属二硫化物(TMDs)的制备而言,二维研究小组掌握了目前科研界最为可控且允许大面积合成的CVD手段,以及液相剥离法这种“自上而下”的制备手段。可以精确的制备不同衬底的单层TMDs材料、单晶TMDs材料以及TMDs材料纳米片等众多样品。样品形貌具有高度平整性、对称性,质量近乎完美,非常适合应用于高端科研工作及新时代工业领域。

部分样品展示图:

六方氮化硼/h-BN

六方氮化硼(h-BN)是一种具有类似于石墨结构的III-V化合物,被称为“白色石墨”。它是一种层状结构材料,各层之间的范德华相互作用较弱。在每一层中,其蜂窝结构由交替的硼和氮原子组成,就像石墨烯一样。h-BN是直接带隙半导体材料(5.97 ev),其面内机械强度和导热系数接近石墨烯,而h-BN的化学性质甚至更高比石墨烯稳定;它可以在高达1000°C的空气中保持稳定。h-BN由于其卓越的性能而具有广泛的应用,例如作为深紫外线发射器,透明膜,介电层或保护性涂层。

十一维纳米材料二维研究小组对h-BN进行了充分的实验和理论研究,并在国内外期刊发表相应论文。对于材料的制备,研究小组采用copper foil作为h-BN的衬底(其(110)晶面非常有利于h-BN的生长),利用化学气相沉积法可以制备单晶h-BN及满单层h-BN薄膜,样品具有优越的形貌及质量,可进一步作为科研及产业应用的原材料。

部分样品展示图: